机译:基于Schroedinger-Poisson迁移率模型的DGSOI MOSFET的仿真
机译:基于费米-狄拉克统计和非抛物线的QET模型对高迁移率MOSFET的短沟道效应的仿真研究
机译:具有大密度界面状态的MOS反转层中载波散射的建模及4H-SIC MOSFET中的电子霍尔迁移率模拟
机译:基于Schrodinger-Poisson迁移率模型的DGSOI MOSFET的仿真
机译:使用第一原理库仑散射迁移率建模和器件仿真来表征4H碳化硅MOSFET。
机译:具有陡势阱的非线性Schrödinger-Poisson系统解的存在性和渐近性
机译:用于超薄DGsOI nmOsFET的局部迁移率模型