首页> 外文OA文献 >Simulation of Industrial Crystal Growth by the Vertical Bridgman Method

【2h】

Simulation of Industrial Crystal Growth by the Vertical Bridgman Method

机译：垂直布里奇曼法模拟工业晶体的生长

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Stefan Boschert; Alfred Schmidt; Kunibert G. Siebert; Eberhard Bänsch; Klaus-Werner Benz; Gerhard Dziuk; Thomas Kaiser;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2000
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Numerical Simulation of Heat Transfer and Convection for CaF2 Crystal Growth by Vertical Bridgman Growth Method [J] . Li Xiaohui, Jiang Dapeng, Wang Jingya, Crystal Research and Technology: Journal of Experimental and Industrial Crystallography . 2020,第3期

机译：垂直Bridgman生长方法CAF2晶体生长传热与对流的数值模拟
2. NUMERICAL SIMULATION OF A 2-D CRYSTAL GROWTH PROBLEM IN VERTICAL VERTICAL BRIDGMAN-STOCKBARGER FURNACE: LATENT HEAT EFFECT AND CRYSTAL-MELT INTERFACE MORPHOLOGY [J] . D.MORVAN, M.EL GANAOUI, P.BONTOUX International Journal of Heat and Mass Transfer . 1999,第3期

机译：垂直立式布里奇曼-斯托卡伯炉中二维晶体生长问题的数值模拟：潜热效应和晶体-熔体界面形态
3. Numerical methods for industrial vertical Bridgman growth of (Cd,Zn)Te [J] . K. Lin, S. Boschert, P. Dold Journal of Crystal Growth . 2002,第期

机译：（Cd，Zn）Te工业垂直布里奇曼生长的数值方法
4. Growth and characterization of AgGa_(0.5)In_(0.5)Se_2 single crystals by modified vertical Bridgman method [C] . P. Vijayakumar, P. Ramasamy DAE Solid State Physics Symposium . 2016

机译：通过改进的垂直Bridgman方法进行AgGA_（0.5）IN_（0.5）IN_（0.5）SE_2单晶的生长和表征
5. Growth and characterization of bismuth tri-iodide single crystals by modified vertical Bridgman method. [D] . Qui, Wei. 2010

机译：改进的垂直布里奇曼法生长和表征三碘化铋单晶。
6. Study on In-Doped CdMgTe Crystals Grown by a Modified Vertical Bridgman Method Using the ACRT Technique [O] . Pengfei Yu, Biru Jiang, Yongren Chen, 2019

机译：改进的垂直布里奇曼法利用ACRT技术生长In掺杂的CdMgTe晶体的研究
7. Simulation of Industrial Crystal Growth by the Vertical Bridgman Method [O] . Stefan Boscherr, Alfred Schmidt, Kunibert G. Siebert, 2007

机译：用垂直布里奇曼法模拟工业晶体生长

Simulation of Industrial Crystal Growth by the Vertical Bridgman Method

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅