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机译:超薄氧化物MOS结构中的量子约束效应的模拟
Ancona Naval Research; M. G. Ancona; Z. Yu; W. -c. Lee; R. W. Dutton; P. V. Voorde;
机译:纳米级nMOSFET中量子限制和随机掺杂效应的三维模拟
机译:在自洽蒙特卡洛器件仿真中包括量子约束效应
机译:探测对MOS_2激子特性和电子频带结构的量子监禁效应
机译:超薄氧化物MOS结构中量子效应的密度梯度模拟
机译:胶体砷化铟和磷化铟量子线和棒:合成,量子约束效应和电传输性质。
机译:纳米结构材料中量子和电子约束效应的光谱和理论研究
机译:在自我一致的蒙特卡罗设备模拟中包含量子限制效应
机译:高级mOs器件中量子限制效应的高效多维模拟
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:量子阱结构和光学约束模量子阱结构,将以有机金属气相模为模,在生产方式良好的半导体空InP衬底上形成
机译:具有优化的量子限制和多阈值电压操作的锗CMOS通道结构
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