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【2h】

Standard Cell Libraries with Various Driving Strength Cells for 0.13, 0.18 and 0.35 µm Technologies

机译：具有各种驱动强度单元的标准单元库，适用于0.13、0.18和0.35 µm技术

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Masanori Hashimoto; Kazunori Fujimori; Hidetoshi Onodera;
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年度 2010
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1. Development of standard cell libraries using variable driving strength cell layout generation system [J] . Kazunori Fujimori, Masanori Hashimoto, Hidetoshi Onodera 電子情報通信学会技術研究報告. VLSI設計技術. VLSI Design Technologies . 2001,第694期

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2. Development of standard cell libraries using variable driving strength cell layout generation system [J] . Kazunori Fujimori, Masanori Hashimoto, Hidetoshi Onodera 電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices . 2001,第696期

机译：使用可变驱动强度单元布局生成系统开发标准单元库
3. Development of standard cell libraries using variable driving strength cell layout generation system [J] . Kazunori Fujimori, Masanori Hashimoto, Hidetoshi Onodera 電子情報通信学会技術研究報告. VLSI設計技術. VLSI Design Technologies . 2001,第694期

机译：使用可变驱动强度小区布局生成系统的标准单元库的开发
4. Standard cell libraries with various driving strength cells for 0.13, 0.18 and 0.35 μm technologies [C] . Masanori Hashimoto, Kazunori Fujimori, Hidetoshi Onodera Conference on Asia South Pacific design automation . 2003

机译：具有适用于0.13、0.18和0.35μm技术的各种驱动强度单元的标准单元库
5. Standard Cell Library Design with Transistor Folding Using 65nm Technology by Global Foundries [D] . Salimath, Vibhav Kumarswami. 2018

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6. Flexible Li[Li0.2Ni0.13Co0.13Mn0.54]O2/Carbon Nanotubes/Nanofibrillated Celluloses Composite Electrode for High-Performance Lithium-Ion Battery [O] . Yan Li, Han Zhang, Zhe Xiao, 1970

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7. Design of a standard cell library in STSCL technology for AMS 180nm process [O] . Neue Gordon 2016

机译：STSCL技术中用于AMS 180nm工艺的标准单元库的设计

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