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【2h】

420 Low-Loss Single and Differential Semi-Coaxial Interconnects in Standard CMOS Process

机译：标准CMOS工艺中的420种低损耗单和差分半同轴互连

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作者
Jun-de Jin; Shawn S. H. Hsu; Ming-ta Yang; Sally Liu;
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年度 2009
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1. Low-Loss Differential Semicoaxial Interconnects in CMOS Process [J] . Jin J.-D., Hsu S. S. H., Yang M.-T., IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2006,第期

机译：CMOS工艺中的低损耗差分半同轴互连
2. Photoelectric Dual Control Negative Differential Resistance Device Fabricated by Standard CMOS Process [J] . Cong Jia, Mao Luhong, Xie Sheng, Photonics Journal, IEEE . 2019,第3期

机译：采用标准CMOS工艺制造的光电双控制负差分电阻器件
3. Novel multiple-selected and multiple-valued memory design using negative differential resistance circuits suitable for standard SiGe-based BiCMOS process [J] . Kwang-Jow Gan, Cher-Shiung Tsai, Dong-Shong Liang Analog Integrated Circuits and Signal Processing . 2009,第2期

机译：采用负差分电阻电路的新型多选多值存储器设计，适用于基于标准SiGe的BiCMOS工艺
4. Low-Loss Single and Differential Semi-Coaxial Interconnects in Standard CMOS Process [C] . Jun-De Jin, Shawn S. H. Hsu, Ming-Ta Yang, IEEE MTT-S International Microwave Symposium . 2006

机译：标准CMOS过程中的低损耗单差和差分半同轴互连
5. Integrated single-photon sensing and processing platform in standard CMOS. [D] . Nouri, Babak. 2013

机译：标准CMOS中的集成单光子传感和处理平台。
6. An Over 90 dB Intra-Scene Single-Exposure Dynamic Range CMOS Image Sensor Using a 3.0 μm Triple-Gain Pixel Fabricated in a Standard BSI Process [O] . Isao Takayanagi, Norio Yoshimura, Kazuya Mori, 2018

机译：使用标准BSI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的90 dB以上场景内单曝光动态范围CMOS图像传感器
7. Low-Loss Single and Differential Semi-Coaxial Interconnects in Standard CMOS Process [O] . Jun-De Jin, Hsu S.S.H., Ming-Ta Yang, 2006

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