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Millimeter-Wave Devices and Circuit Blocks up to 104 GHz in 90 nm CMOS

机译：在90 nm CMOS中高达104 GHz的毫米波器件和电路块

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Babak Heydari; Student Member; Mounir Bohsali; Ehsan Adabi; Ali M. Niknejad;
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年度 2009
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1. Millimeter-Wave Devices and Circuit Blocks up to 104 GHz in 90 nm CMOS [J] . Heydari B., Bohsali M., Adabi E., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2007,第12期

机译：在90 nm CMOS中高达104 GHz的毫米波器件和电路块
2. A 243-GHz F{sub}t and 208-GHz F{sub}(max), 90-nm SOI CMOS SoC Technology With Low-Power mm Wave Digital and RF Circuit Capability [J] . Jean-Olivier Plouchart, Noah Zamdmer, Jonghae Kim, IEEE Transactions on Electron Devices . 2005,第7期

机译：具有低功耗毫米波数字和RF电路功能的243 GHz F {sub} t和208 GHz F {sub}（max），90 nm SOI CMOS SoC技术
3. DESIGN OF A 75-110-GHz MILLIMETER-WAVE 90-nm CMOS HIGHLY ISOLATED TRANSMITTER/RECEIVER SWITCH BY LEAKAGE-CANCELLATION TECHNIQUE [J] . Chou Chien-Chang, Huang Shih-Chiao, Lai Wen-Chian, Microwave and optical technology letters . 2016,第11期

机译：通过泄漏消除技术设计75-110GHz毫米波90nm CMOS高隔离发射器/接收器开关
4. A 243-GHz F/sub t/ and 208-GHz F/sub max/, 90-nm SOI CMOS SoC technology with low-power millimeter-wave digital and RF circuit capability [C] . Zamdmer, N., Jonghae Kim, . 2004

机译：具有243 GHz F / sub t /和208 GHz F / sub max /的90 nm SOI CMOS SoC技术，具有低功耗毫米波数字和RF电路功能
5. Ka-Band and W-Band Millimeter-Wave Wideband Linear Power Amplifier Integrated Circuits at 30 GHz and 90 GHz with Greater Than 100 mW OutputPowers in Commercially-Available 0.12 Micron Silicon Germanium HBT Technology [D] . Chang, Michael S. 2017

机译：采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路，输出功率超过100 mW
6. Dielectric properties of porous silicon for use as a substrate for the on-chip integration of millimeter-wave devices in the frequency range 140 to 210 GHz [O] . Panagiotis Sarafis, Androula Galiouna Nassiopoulou 2014

机译：多孔硅的介电特性用作140至210 GHz频率范围内毫米波器件的片上集成的基板
7. 10.7 Low-Power mm-Wave Components up to 104GHz in 90nm CMOS [O] . Babak Heydari, Mounir Bohsali, Ehsan Adabi, 2009

机译：10.7 90nm CMOS中高达104GHz的低功耗毫米波组件
8. 205GHz Amplifier in 90nm CMOS Technology. [R] . Ardalan, S. 2017

机译：采用90nm CmOs技术的205GHz放大器。

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