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【2h】

On Negative Differential Resistance in Hydrodynamic Simulation of Partially Depleted SOI Transistors

机译：SOI晶体管部分耗尽的流体动力学仿真中的负微分电阻

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Boris Polsky; Oleg Penzin; Karim El Sayed; Andreas Schenk; Andreas Wettstein; Wolfgang Fichtner;
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年度 2008
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1. On Negative Differential Resistance in Hydrodynamic Simulation of Partially Depleted SOI Transistors [J] . Boris Polsky, Oleg Penzin, Karim El Sayed, IEEE Transactions on Electron Devices . 2005,第4期

机译：SOI晶体管部分耗尽的流体动力学仿真中的负微分电阻
2. Generation-recombination transient effects in partially depleted SOI transistors: systematic experiments and simulations [J] . Munteanu D., Weiser D.A. IEEE Transactions on Electron Devices . 1998,第8期

机译：部分耗尽的SOI晶体管中的世代复合瞬态效应：系统实验和仿真
3. Physical origin of negative differential resistance in SOI transistors [J] . McDaid L.J., Hall S. Electronics Letters . 1989,第13期

机译：SOI晶体管中负差分电阻的物理来源
4. Simulation of Partially Depleted SOI MOSFETs using an Improved Hydrodynamic Transport Model [C] . M. Gritsch, H. Kosina, T. Grasser, International Workshop on the Physics of Semiconductor Devices . 2002

机译：使用改进的流体动力传输模型模拟部分耗尽的SOI MOSFET
5. Simulation of noise mechanisms in scaled bulk and partially depleted silicon-on-insulator field-effect transistors. [D] . Martin, Derek O. 2007

机译：规模化和部分耗尽的绝缘体上硅场效应晶体管中噪声机制的仿真。
6. Steep switching devices for low power applications: negative differential capacitance/resistance field effect transistors [O] . Eunah Ko, Jaemin Shin, Changhwan Shin 2018

机译：用于低功率应用的陡峭开关设备：负差分电容/电阻场效应晶体管
7. IMPACT OF HALO IMPLANTATION ON THE LIFETIME ASSESSMENT IN PARTIALLY DEPLETED SOI TRANSISTORS [O] . M. Galeti, J. A. Martino, E. Simoen, 2016

机译：HaLO植入对部分sOI晶体管寿命评估的影响
8. Ensemble Monte Carlo Simulation of Real Space Transfer (NERFET/CHINT) (Negative Differential Resistance Field Effect Transistor/Charge Injection Transistor) Devices [R] . Kizilyalli, I. C., Hess, K., Higman, T., 1988

机译：实空间转移的集合蒙特卡罗模拟（NERFET /正泰）（负差分电阻场效应晶体管/电荷注入晶体管）器件

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