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【2h】

Accurate Statistical Process Variation Analysis for 0.25- m CMOS with Advanced TCAD Methodology

机译：使用先进的TCAD方法对0.25-m CMOS进行精确的统计处理偏差分析

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作者
Hisako Sato; Hisaaki Kunitomo; Katsumi Tsuneno; Kazutaka Mori; Hiroo Masuda; Senior Member;
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年度 2008
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1. Accurate statistical process variation analysis for 0.25-/spl mu/m CMOS with advanced TCAD methodology [J] . Sato H., Kunitomo H. IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing . 1998,第4期

机译：使用先进的TCAD方法对0.25- / spl mu / m CMOS进行准确的统计过程变化分析
2. Accurate statistical process variation analysis for 0.25-Μm CMOSwith advanced TCAD methodology [J] . Sato H., Kunitomo H., Tsuneno K., IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing . 1998,第4期

机译：采用先进的TCAD方法对0.25-μmCMOS进行准确的统计过程变化分析
3. Analysis of USJ formation with combined RTA/laser annealing conditions for 28 nm high-k/metal gate CMOS technology using advanced TCAD for process and device simulation [J] . E.M. Bazizi, A. Zaka, F. Benistant Solid-State Electronics . 2013,第may期

机译：使用先进的TCAD对28 nm高k /金属栅CMOS技术的结合RTA /激光退火条件的USJ形成进行过程和器件仿真
4. Rigorous statistical process variation analysis for quarter-/spl mu/m CMOS with advanced TCAD metrology [C] . Aoyama, K., Kunitomo, . 1997

机译：具有先进的TCAD计量功能的四分之一/ splμm/ m CMOS的严格统计过程变化分析
5. Algorithms and methodology for post-manufacture adaptation to process variations and induced noise in deeply scaled CMOS technologies . [D] . Ashouei, Maryam. 2007

机译：深度缩放CMOS技术中制造后适应工艺变化和感应噪声的算法和方法。
6. Wide range detector of plasma induced charging effect for advanced CMOS BEOL processes [O] . Yi-Jie Chao, Kai-Wei Yang, Chi Su, 2021

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7. A 0.25- m, 600-MHz, 1.5-V, Fully Depleted SOI CMOS 64-Bit Microprocessor [O] . Sung Bae Park, Young Wug Kim, Young Gun Ko, 2011

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