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Electricalperformance of multilayer MoS2 transistor with ALD HfTiO gate dielectric

机译：具有ALD HfTiO栅极电介质的多层MoS2晶体管的电性能

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2016 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2016, Hong Kong, 3-5 August 2016

机译：2016年IEEE电子器件和固态电路国际会议，EDSSC 2016，香港，2016年8月3-5日

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作者
Wen M; Xu JP; Liu L; Huang Y; Lai PT; Tang WM;
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作者单位

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年度 2016
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正文语种 eng
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