机译:中温缓冲层对MBE生长的GaN薄膜和器件的闪烁噪声特性的影响
机译:埋入式低温AlN应变弛豫层对(110)Si衬底上通过氨分子束外延生长的GaN薄膜的应变状态和缓冲特性的影响
机译:大体积异质结有机薄膜太阳能电池器件特性对制备缓冲层的PEDOT:PSS溶液中甘油和山梨糖醇添加的浓度的影响
机译:中温缓冲层上高质量MBE生长的GaN薄膜的电性能
机译:通过异质外延GaN薄膜中的缓冲层控制应力和缺陷
机译:Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上:电气和噪声特性
机译:中温缓冲层上高质量MBE生长的GaN薄膜的电性能