首页> 外文OA文献 >Enhancement of the machinability of silicon by hydrogen ion implantation for ultra-precision micro-cutting
【2h】

Enhancement of the machinability of silicon by hydrogen ion implantation for ultra-precision micro-cutting

机译:通过氢离子注入提高硅的可加工性,以进行超精密微切割

摘要

This paper presents the implementation method of surface modification by hydrogen ion implantation in silicon on the enhancement of machinability of silicon by facilitating the brittle-to-ductile transition. The distribution of the implanted hydrogen ions and induced displacements in the sub-surface of silicon wafer is visualised through modelling. The micro-cutting experiments are conducted on ultra-precision raster milling to verify the enhancement effect on the machinability of silicon.
机译:本文提出了一种通过氢离子注入硅表面改性的实现方法,该方法通过促进脆性-延性转变来增强硅的可切削性。通过建模可视化硅晶片的子表面中注入的氢离子的分布和诱导的位移。微切割实验是在超精密光栅铣削上进行的,以验证其对硅切削性的增强作用。

著录项

  • 作者

    To S; Wang H; Jelenkovic EV;

  • 作者单位
  • 年度 2013
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号