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Triple Junction InGaP/GaAs/Ge Solar Cell Optimization: The Design Parameters for a 36.2 Efficient Space Cell Using Silvaco ATLAS Modeling Simulation

机译:三结InGaP / GaAs / Ge太阳能电池优化:使用Silvaco ATLAS建模和仿真的36.2%高效空间电池的设计参数

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摘要

This paper presents the design parameters for a triplejunction InGaP/GaAs/Ge space solar cell with a simulatedmaximum efficiency of 36.28% using Silvaco ATLASVirtual Wafer Fabrication tool. Design parameters includethe layer material, doping concentration, and thicknesses.
机译:本文介绍了使用Silvaco ATLAS虚拟晶片制造工具模拟的最大效率为36.28%的三结InGaP / GaAs / Ge空间太阳能电池的设计参数。设计参数包括层材料,掺杂浓度和厚度。

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