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【2h】

Proton irradiation-induced metal voids in gallium nitride high electron mobility transistors

机译：氮化镓高电子迁移率晶体管中质子辐照引起的金属空洞

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机译：批准公开发布；发行是无限的

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Wade Michael G.;
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年度 2015
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机译：氮化镓高电子迁移率晶体管中质子辐照诱导的金属空洞。

Proton irradiation-induced metal voids in gallium nitride high electron mobility transistors

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