机译:在LiAlO2(100)衬底上制造蓝色和绿色非极性InGaN / GaN多量子阱发光二极管
机译:在LiAIO2(100)衬底上制造蓝色和绿色非极性InGaN / GaN多量子阱发光二极管
机译:在独立式GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降
机译:利用MOVPE对LiAlO2(100)上生长的非极性m平面InGaN / GaN多量子阱进行光学研究
机译:绿,蓝和紫外InGaN / GaN多量子阱发光二极管的低温工作
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:LiAlO2(100)衬底上的非极性m平面薄膜GaN和InGaN / GaN发光二极管