首页> 外文OA文献 >Control of the deposition ratio of Bi2Te3 and Sb2Te3 in a vacuum evaporator for fabrication of Peltier elements
【2h】

Control of the deposition ratio of Bi2Te3 and Sb2Te3 in a vacuum evaporator for fabrication of Peltier elements

机译:控制用于珀耳帖元件制造的真空蒸发器中Bi2Te3和Sb2Te3的沉积率

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

This article reports the main problem and the corresponding solution of the co-evaporation of Bi2Te3 and Sb2Te3 films for the fabrication of Peltier elements. This main problem consists in the control of the deposition rates of the two elements:Bi or Sb and Te, which have very different vapor pressures. The control of the deposition ratio was achieved by means of a PID controller, which permitted the fabrication of thin-film Peltier elements that produce a temperature gradient in the order of 2C between their hot and cold junctions, when measured at free air conditions.
机译:本文报道了用于珀耳帖元件制造的Bi2Te3和Sb2Te3薄膜共蒸发的主要问题以及相应的解决方案。这个主要问题在于控制两个元素的沉积速率:Bi或Sb和Te,它们具有非常不同的蒸气压。沉积比例的控制是通过PID控制器实现的,该PID控制器允许制造薄膜Peltier元件,该薄膜Peltier元件在自由空气条件下进行测量时,其热结点和冷结点之间的温度梯度约为2C。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号