SiC トランジスタ ノ スイッチング トクセイ ト ドレイン‐ゲート カン ソウゴ サヨウ ニツイテ

摘要

本研究は、SiCを用いた埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ（SiC-BGSIT）のスイッチング特性を明らかにすることに加え、ドレイン‐ゲート間相互作用を表現できるSPICE素子モデルの構築を目的とする。SiC-BGSITはSi-MOSFETと比べて、より低損失、高耐圧、高温動作であるものの、新しい素子であることに加え、逆のオン・オフ特性（ノーマリオン特性）を持つため、応用面から詳しく調べられていない。研究では、この相互作用について実験的に調べ、SPICE3のJFETモデルを利用して、SiC-BGSITの素子モデル構築を試みた。結果として、ドレイン‐ゲート間相互作用を定量的に説明できる素子モデルを得た。