机译:用于非经典CMOS的III-V通道场效应晶体管:工艺优化以改进栅极叠层功能
机译:采用前栅极工艺制造的Hf-Si / HfO_2栅堆叠的低阈值电压和高迁移率N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有高栅极功函数的栅极叠层的制造,用于无注入增强型GaAs n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管应用
机译:在栅极优先的CMOSFET中使用NH_3灰化工艺改善了金属/高k栅极堆叠的栅极边缘轮廓
机译:反转式表面通道IN_(0.53)GA_(0.47)作为金属氧化物 - 半导体场效应晶体管,具有金属栅极/高k电介质堆叠和CMOS兼容的PDGE接触
机译:映射到门级的经典和非经典CMOS晶体管故障模型的综合,用于基于硬件的可重构故障注入
机译:环境处理的水稳定的水控亚1 V n型碳纳米管场效应晶体管
机译:具有In1-xGaxas沟道覆盖层的14nm栅极III-V三栅极场效应晶体管器件的仿真研究