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Open issues in GaN-based HEMTs: performances, parasitics and reliability

机译：GaN基HEMT中的未解决问题：性能，寄生性和可靠性

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Zanandrea Alberto;
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年度 2014
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1. Reliability and parasitic issues in GaN-based power HEMTs: a review [J] . Meneghesso G., Meneghini M., Rossetto I., Semiconductor science and technology . 2016,第9期

机译：GaN基功率HEMT中的可靠性和寄生虫问题：综述
2. Trapping and reliability issues in GaN-based MIS HEMTs with partially recessed gate [J] . Meneghesso Gaudenzio, Meneghini Matteo, Bisi Davide, Microelectronics & Reliability . 2016,第mara期

机译：栅极部分凹陷的GaN基MIS HEMT中的陷印和可靠性问题
3. DC-to-RF dispersion effects in GaAs- and GaN-based heterostructure FETs: performance and reliability issues [J] . G. Verzellesi, G. Meneghesso, A. Chini, Microelectronics & Reliability . 2005,第9a11期

机译：GaAs和GaN基异质结FET中的DC-RF色散效应：性能和可靠性问题
4. GaN-based power HEMTs: Parasitic, Reliability and high field issues [C] . G. Meneghesso, M. Meneghini, D. Bisi, Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3 . 2013

机译：GaN基功率HEMT：寄生，可靠性和高场问题
5. Reliability and performance issues in nanoscale SOI CMOS. [D] . Ioannou, Dimitri P. 2007

机译：纳米SOI CMOS中的可靠性和性能问题。
6. Comprehensive Research of Total Ionizing Dose Effects in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Dielectric Layer [O] . Sung-Jae Chang, Dong-Seok Kim, Tae-Woo Kim, 2020

机译：使用极薄的栅极介电层综合电离剂量效应的全电离剂量效应
7. Improvement of performance and reliability of GaN-based high electronmobility transistors (HEMTs) using high-k dielectrics [O] . Zhan, Gao 2018

机译：使用高k电介质改善基于GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能和可靠性

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