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【2h】

Chalcogen modification of GaAs(100) surfaces and metal/GaAs(100) contacts

机译：GaAs（100）表面和金属/ GaAs（100）触点的硫族元素修饰

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Hohenecker Stefan;
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年度 2002
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3. Impact of surface orientation on (100), (111)A, and (111)B InGaAs surfaces with In content of 0.53 and 0.70 and on their Al_2O_3/InGaAs metal-oxide-semiconductor interface properties [J] . Masafumi Yokoyama, Rena Suzuki, Noriyuki Taoka, Applied Physics Letters . 2016,第18期

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