机译:分离探针和引线键合区域而不增加芯片尺寸并减少弱Fab-BEOL粘合界面的新方法
机译:电镀铜厚度对铜CMP和Cu / Coral™BEOL集成的影响
机译:原位自由球激光加热对铜丝键合强度和晶粒结构的影响
机译:铜线键合冲击下BEoL结构的损伤和开裂风险的有限元分析
机译:三维封装的结构优化及可靠性研究TSV&BEOL裂缝行为及功率循环对可靠性倒装芯片封装的影响
机译:具有无缝一维纳米结构的铜线的结构和电化学性能
机译:在BEOL兼容温度下掺入MOS 2的铌及其对铜扩散屏障性能的影响
机译:粘性介质(玻璃)中的局部损伤。附录a.名义上相似影响引起的局部影响损害的变化。附录B.赫兹裂纹处的裂纹分支。