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High Speed Turn-on Gate Driving for 4.5kV IEGT without Increase in PiN Diode Recovery Current

机译：4.5kV IEGT的高速导通栅极驱动，而不会增加PiN二极管的恢复电流

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2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), May 26-30, 2013, Ishikawa Ongakudo, Kanazawa. Japan.

机译：2013年第25届功率半导体器件和IC国际研讨会（ISPSD），2013年5月26日至30日，金泽市石川音乐学院。日本。

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作者
Miki Yamato; Mukunoki Makoto; Matsuyoshi Takashi; Tsukuda Masanori; Omura Ichiro;
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年度 2013
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