机译:通过使用无氧碳氟化合物等离子体,将等离子体损伤和超低k电介质膜的原位密封降至最低
机译:腐蚀对电感耦合碳氟化合物等离子体中SiCOH low-k薄膜介电常数和表面组成的影响
机译:等离子体参数对刻蚀过程中沉积在掺碳低k介电层上的稳态碳氟化合物薄膜化学成分的影响
机译:等离子体辅助原位修复侧壁损坏的超低k电介质的实验研究
机译:通过等离子体增强的含硅的低介电常数碳氟化合物薄膜增强了化学气相沉积。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:用O 2和CO 2等离子体改性超低k介质薄膜