机译:衍射辅助的极紫外邻近光刻技术,用于制造纳米光子阵列
机译:极端紫外线光刻掩模的缺陷补偿和光学邻近校正的快速优化
机译:利用原子力显微镜光刻技术制造用于极紫外光刻掩模的沟槽纳米结构
机译:极紫外光刻中由像差引起的CD误差及其可能的光学邻近校正补偿
机译:通过光学邻近校正来补偿极紫外光刻图像场边缘效应。
机译:用常规的紫外光刻和微细加工技术制备具有窄缝孔的多层聚合物微筛
机译:非主干扩散系数对22nm制造中潜像质量的影响使用极端紫外光刻
机译:更新sEmaTECH 0.5 Na极紫外光刻(EUVL)微场曝光工具(mET)。会议:spIE - 极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:Journal.publication日期:90481m。