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Optical properties of strain-compensated CdSe/ZnSe/(Zn,Mg)Se quantum well microdisks

机译:应变补偿CdSe / ZnSe /(Zn,Mg)Se量子阱微盘的光学特性

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摘要

Strain-compensated CdSe/ZnSe/(Zn,Mg)Se quantum well structures that were grown on (In,Ga)As allow for efficient room-temperature photoluminescence and spectral tuning over the whole visible range. We fabricated microdisk cavities from these samples by making use of a challenging chemical structuring technique for selective and homogeneous removal of the (In,Ga)As sacrificial layer below the quantum structure. The observed whispering gallery modes in our microdisks are mainly visible up to photon energies of ~ 2.3 eV due to strong self-absorption. As extinction coefficients and effective refractive indices are dominated by the quantum well material CdSe, thick quantum wells (> 3 monolayer) are necessary to observe resonances in the corresponding quantum well emission.
机译:在(In,Ga)As上生长的应变补偿CdSe / ZnSe /(Zn,Mg)Se量子阱结构允许在整个可见光范围内进行有效的室温光致发光和光谱调谐。我们利用具有挑战性的化学结构化技术从这些样品中制备了微盘腔,以选择性和均匀地去除量子结构下方的(In,Ga)As牺牲层。由于强烈的自吸收,在我们的微盘中观察到的回音壁模式主要在高达〜2.3 eV的光子能量下可见。由于消光系数和有效折射率受量子阱材料CdSe的支配,因此需要厚的量子阱(> 3个单层)来观察相应量子阱发射中的共振。

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