机译:基于HFET和MOSHFET层结构的AlGaN / GaN MSM变容二极管的比较
机译:基于AlGaN / GaN异质结构的平衡MSM-2DEG变容二极管,截止频率为1.54 THz
机译:具有二维电子气的AlGaN / GaN异质结构MSM变容二极管的转变电压
机译:基于HFET和MOSHFET层结构的AlGaN / GaN MSM变容二极管的比较
机译:基于物理的AlGaN / GaN HFET紧凑模型,可在电路模拟器中实现。
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:基于HFET和MOSHFET层结构的AlGaN / GaN MSM变容二极管的比较
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应