机译:电子回旋共振化学气相沉积法在硅衬底上低温生长(180摄氏度)光滑表面锗外延层
机译:电子回旋共振化学气相沉积法在硅衬底上低温(180°C)生长光滑表面锗外延层
机译:电子回旋共振化学气相沉积法在硅衬底上低温(180°C)生长光滑表面锗外延层
机译:通过脉冲激光沉积方法在硅基板上产生光滑的钒 - 氮化物层
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:等离子体增强原子层沉积法制备硅衬底上Al2O3膜的均匀性和钝化研究
机译:Al和AlN超薄层在硅和石墨烯衬底上的沉积