机译:具有多个双异质结构有源区的InGaN发光二极管的量子效率提高
机译:具有多个双异质结构有源区的InGaN发光二极管的量子效率提高
机译:InGaN / GaN单量子阱发光二极管的光输出效率取决于分隔有源层和p层区域的势垒层的特性
机译:使用堆叠的量子点有源区提高InGaN / GaN绿光发射二极管的性能
机译:具有量子点有源区的高性能激光器和自旋极化发光二极管。
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:减小有效有效区域体积对incAn基发光二极管波长依赖性效率下降的影响
机译:交错InGaN量子阱发光二极管提高辐射效率。