机译:双金属各向异性平带,霍尔流动性边缘和过量掺杂的高T-C氧化物的金属半导电性
机译:磁阻和霍尔系数测量在略微过量掺杂的YBA2CU3O6.92中的各向异性霍尔流动性
机译:修正双极子模型中高温度超导体的霍尔系数
机译:氧化后退火条件对SiC MOSFET的导通带边缘和反转信道移动性接口状态密度的影响
机译:使用门控霍尔法提取InGaAs金属氧化物半导体结构中的载流子迁移率和界面陷阱密度。
机译:应变使柔性有机晶体管的电荷载流子迁移率大幅各向异性增强:霍尔效应和拉曼研究
机译:二极管各向异性平带,霍尔移动边缘和金属半导体二元性的过多的高氧化酯
机译:流动边缘附近的霍尔效应:一个缩放论证