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Bipolaron anisotropic flat bands, Hall mobility edge, and metal-semiconductor duality of overdoped high-Tc oxides

机译:双极性各向异性扁平带,霍尔迁移率边缘和高掺杂Tc氧化物的金属-半导体对偶性

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摘要

This article was published in the journal, Physical Review B [© American Physical Society]. It is also available at: http://link.aps.org/abstract/PRB/v53/p2863.
机译:本文发表在《物理评论B》 [©American Physical Society]杂志上。也可以从以下网站获得:http://link.aps.org/abstract/PRB/v53/p2863。

著录项

  • 作者

    Alexandrov A.S.;

  • 作者单位
  • 年度 1996
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 en
  • 中图分类

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