机译:Si(111)√3×√3-R30°-Sb表面相对Si(111)衬底上低维硅化镁层形成和电导的影响
机译:Si(111)-Cr表面相在室温下对Fe和Yb单层形成和电导率的影响对Si(111)
机译:GaSb / Si(111)-√3×√3-Ga表面相上InGaSb层异质外延膜上InSb沟道层的生长特性
机译:GaSb / Si(111)-√3×√3-Ga表面相上InGaSb层异质外延膜上InSb沟道层的生长特性
机译:Si(111)3〜(1/2)x3〜(1/2)R30 deg -B表面相上的Si生长取决于表面相形成的方式和初始硼覆盖率
机译:掺硼硅(111)表面结构和金属硅化物界面形成的研究。
机译:Si(111)衬底和3C-SiC(111)外延层之间的错位界面的异常性质
机译:Si(111)上硅化镁相(2 /3√3×2 /3√3)-R30°的模型
机译:Xps研究si(100)和si(111)表面上超薄铂和铱硅化物层的形成。