机译:蓝宝石继任者
机译:GaN /蓝宝石,Ru /蓝宝石和Ru / GaN /蓝宝石衬底上的Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的结构和电学性质
机译:用蓝宝石溶解过程对Na-Flux法生长的GaN / Sapphire接触区域对GaN晶片鞠躬的影响
机译:MBE在蓝宝石和HVPE-GaN /蓝宝石基材上的GaN二极管Grwon的比较研究。
机译:宾夕法尼亚州东部和中部家族企业中继承权承诺与继承权发展过程之间的关系
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:通过si离子注入蓝宝石,改变GaN /蓝宝石界面处的失配位错的平衡位置。 II。电子能量损失光谱研究