首页> 外文OA文献 >Temperature Dependent Characteristics of InAlN/GaN HEMTs for mm-Wave Applications

【2h】

Temperature Dependent Characteristics of InAlN/GaN HEMTs for mm-Wave Applications

机译：用于毫米波应用的InAlN / GaN HEMT的温度相关特性

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Xing Weichuan; Liu Zhihong; Ng Geok Ing; Palacios Tomas;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2016
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Static and dynamic characteristics of L g 50?nm InAlN/AlN/GaN HEMT with AlGaN back-barrier for high power millimeter wave applications [J] . P. Murugapandiyan, S. Ravimaran, J. William Journal of Science: Advanced Materials and Devices . 2017,第4期

机译：L g 具有AlGaN背势垒的50？nm InAlN / AlN / GaN HEMT的静态和动态特性，适用于大功率毫米波应用
2. Enhanced optical gain characteristics of InAlN/δ-GaN/InAlN nanoscale-heterostructure for D-UV applications [J] . P.A. Alvi Superlattices and microstructures . 2020,第Apra期

机译：用于D-UV应用的InAlN /δ-GaN/ InAlN纳米异质结构的增强光学增益特性
3. Performance analysis of HfO 2/InAlN/AlN/GaN HEMT with AlN buffer layer for high power microwave applications [J] . P. Murugapandiyan, A. Mohanbabu, V. Rajya Lakshmi, Journal of Science: Advanced Materials and Devices . 2020,第2期

机译：HFO 2 / INALN / ALN / GAN HEMT用于高功率微波应用的ALN缓冲层
4. Temperature Dependent Characteristics of InAlN/GaN HEMTs for mm-Wave Applications [C] . Weichuan Xing, Zhihong Liu, Geok Ing Ng International Conference on Materials for Advanced Technologies . 2016

机译：MM波应用中Inaln / GaN Hemts的温度依赖性特征
5. N-polar GaN MIS-HEMTs with Silicon Nitride Passivation for mm-Wave Applications [D] . Zheng, Xun. 2018

机译：N极GaN MIS-HEMTS具有氮化硅钝化MM波应用
6. Model Development for Threshold Voltage Stability Dependent on High Temperature Operations in Wide-Bandgap GaN-Based HEMT Power Devices [O] . Huolin Huang, Feiyu Li, Zhonghao Sun, 2018

机译：宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
7. Temperature Dependent Characteristics of InAlN/GaN HEMTs for mm-Wave Applications [O] . Xing, Weichuan, Liu, Zhihong, Ng, Geok Ing, 2015

机译：用于毫米波应用的InalN / GaN HEmT的温度依赖特性

Temperature Dependent Characteristics of InAlN/GaN HEMTs for mm-Wave Applications

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅