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机译:掺杂剂渗透深度对n型叉指背接触式硅太阳能电池太阳能电池性能的影响
Korovin Alexander V.; Alvarez José; Kleider Jean-Paul;
机译:p型和n型多晶硅钝化接触之间的过渡区域对叉指式背接触硅太阳能电池性能的影响
机译:具有低温掺杂剂选择性触点的互联的背面结晶硅太阳能电池
机译:在p型和n型c-Si衬底上的高效黑硅叉指背接触太阳能电池
机译:掺杂剂渗透深度对N型互连后硅太阳能电池太阳能电池性能的影响
机译:硅异质结和叉指背接触式硅异质结太阳能电池的结工程和器件设计
机译:硅太阳能电池的无掺杂和载流子选择性异质接触:最新进展和展望
机译:掺杂剂渗透深度对n型叉指背接触硅太阳能电池太阳能电池性能的影响
机译:半导体器件,即叉指背接触太阳能电池的制造方法,涉及在润湿性高的表面区域选择性地涂覆掺杂源材料,并将掺杂剂从材料推进到掺杂剂区域。
机译:背接触太阳能电池的制造方法晶片太阳能电池,涉及通过发射极接触和基极接触使太阳能电池与具有热施主的掺杂梯度的n型基极区域接触
机译:生产用于抗穿透性p型太阳能电池的,由升级的冶金级硅制成的铸锭,该铸锭的高度从p型硅的底部到n型硅的头部的高度
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