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【2h】

Transparent and electrically conductive GaSb/Si direct wafer bonding at low temperatures by argon-beam surface activation

机译：低温下通过氩气束表面活化实现透明导电GaSb / Si晶圆直接键合

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Predan F.; Reinwand D.; Klinger V.; Dimroth F.;
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年度 2015
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1. Transparent and electrically conductive GaSb/Si direct wafer bonding at low temperatures by argon-beam surface activation [J] . Predan F., Reinwand D., Klinger V., Applied Surface Science . 2015,第OCTa30期

机译：低温下通过氩气束表面活化实现透明导电GaSb / Si晶圆直接键合
2. Wafer-scale spontaneous bonding of silicon wafers by argon-beam surface activation at room temperature [J] . Takagi H., Maeda R., Suga T. Sensors and Actuators, A. Physical . 2003,第1期

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3. ROOM-TEMPERATURE WAFER BONDING OF SILICON AND LITHIUM NIOBATE BY MEANS OF ARGON-BEAM SURFACE ACTIVATION [J] . H. TAKAGI, R. MAEDA, T. SUGA Integrated Ferroelectrics . 2002,第1期

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