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机译:硼和铝对CuZr抗拉强度和电子结构的影响:第一性原理研究
Feng Wen-Xia; Cui Shou-Xin; Feng Min; Wang Shu-Hua; Li Xiao-Hong; Li Zhong-Hua;
机译:H对W的电子结构和理想拉伸强度的影响:第一性原理计算
机译:H对W电子结构和理想抗拉强度的影响:第一性原理计算
机译:单晶CuZr的结构,电子和弹性性质的第一性原理研究
机译:第一原理研究了TI超级阳离子和锂离子空位掺杂晶体和电子结构掺杂的效果及电导率
机译:二维过渡金属二甲硅藻电子结构的第一原理研究
机译:单轴拉伸应变下具有S空位的单层MoS2的结构和电子性质的第一性原理研究
机译:2302高强度螺栓拉伸关节变形行为的实验研究:第二部分。高强度螺栓(结构)的拉伸变形和骨折
机译:利用针状铁素体结构诱导制造高强度钢板的方法和由可通过控制合金成分和工艺条件来提高拉伸强度的方法而制造的高强度钢板,而无须增加固含量
机译:用于电子元件的结构化半导体芯片具有由具有高断裂点/拉伸强度的碳化硅制成的钝化层,其中该层设置在氧化硅层上
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