机译:基于GaSb的具有埋隧道结的VCSEL的横向模式特性
机译:基于GaSb的VCSEL,具有埋入式隧道结,可实现约2.3μm的发射
机译:具有埋入隧道结电流限制结构的长波长GalnNAs VCSEL
机译:基于Gasb的电泵电气泵浦VCSEL,埋设隧道结操作连续波,高达50°C
机译:砷化铝镓-砷化镓镓晶体生长,埋入式隧道接触激光器,晶片键合以及基于砷化镓铝氧化物的VCSEL。
机译:集成双波长VCSEL底部使用电泵浦的GaInAs / AlGaAsAs 980 nm腔顶部使用光泵浦的GaInAs / AlGaInAs 1550 nm腔
机译:基于单模隧道结基的长波长Vcsels的电气设计优化