机译:通过GaP和GaAs分解源的MBE均匀生长高质量的2直径In_0.53Ga_0.47As / In_0.52Al_0.48As / InP和In_0.2Ga_0.8As / GaAs / AlGaAs多量子阱晶片
机译:基于InP的双量子熔融GaAs / InP LW-VCSEL的多量子阱摩尔分数变化效应
机译:液相外延生长的InP / InGaAsP / InP双异质结构晶片中的错配位错
机译:由MOVPE晶圆制造的InGaAsP / InP光电器件
机译:高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:通过晶片键合技术的混合集成式GaAs / GaAs和InP / GaAs半导体:界面附着力和机械强度
机译:气体源mBE在Inp衬底上的Gaas / alGaas电子和InGaas(p)光电子学。