机译:通道中具有不对称渐变双光晕掺杂的隧穿碳纳米管场效应晶体管:Asym-GDH-T-CNTFET
机译:新型双卤掺杂碳纳米管场效应晶体管的性能和带间隧穿效应的研究
机译:具有梯度双晕通道的新型碳纳米管场效应晶体管
机译:在沟道区中使用高斯掺杂分布来改善隧穿碳纳米管场效应晶体管的性能
机译:隧道碳纳米管场效应晶体管,具有不对称分级双光晕掺杂通道:Asym-GDH-T-CNTFET
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:阶梯通道厚度双栅隧道场效应晶体管的仿真研究
机译:碳纳米管场效应晶体管性能的依赖性 不同直径的通道掺杂水平:开/关电流比
机译:半导体碳纳米管场效应晶体管中的电输运和沟道长度调制。