机译:使用与准光学天线电路和MMIC集成在一起的AlGaAs / InGaAs HEMT,以光学方式产生60 GHz毫米波
机译:具有四分之一微米Au / WSi栅极AlGaAs / InGaAs HJFET的毫米波MMIC
机译:采用0.7μmGaAs MMIC技术的L波段T / R模块SPOT开关,6位数字衰减器,6位数字移相器的设计与实现
机译:0.15 / spl mu / m InGaAs / AlGaAs / GaAs HEMT生产工艺,用于高性能和高产量的V波段功率MMIC
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:基于GaAs MMIC中双热流路径的n + GaAs / AuGeNi-Au热电偶型RF MEMS功率传感器
机译:大容量,低成本GaAs MMIC的类硅工艺
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。