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3-inch InP upgrades to 4-inch

机译：3英寸InP升级到4英寸

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1. Stepper-based L_g = 0.5 μm In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.7)Ga_(0.3)As PHEMTs on a 3-inch InP substrate with record product of f_T and L_g [J] . Baek Ji-Min, Son Seung-Woo, Park Jung Ho, Solid-State Electronics . 2018,第SEPa期

机译：基于步进器的L_g = 0.5μm在3英寸InP基板上的In_（0.52）Al_（0.48）As / In_（0.7）Ga_（0.3）As PHEMTs，记录值为f_T和L_g
2. Development of 4-inch Fe-doped InP substrate using VB method [J] . Katsushi Hashio, Noriyuki Hosaka, Masato Matsushima, SEIテクニカルレビュ－ . 2003,第162期

机译：用VB方法开发4英寸掺铁InP衬底
3. Development of 4-inch Fe-doped InP substrate using VB method [J] . Katsushi Hashio, Noriyuki Hosaka, Masato Matsushima, SEIテクニカルレビュ－ . 2003,第162期

机译：使用VB方法研制4英寸Fe掺杂的INP基板
4. Fabrication of mesa-type InGaAs pin PDs with InP passivation structure on 4-inch diameter InP substrate [C] . Yamabi R., Tsuji Y., Hiratsuka K., Indium Phosphide and Related Materials, 2004. 16th IPRM. 2004 International Conference on . 2004

机译：在4英寸直径InP衬底上制造具有InP钝化结构的台面型InGaAs引脚PD
5. Simulation and Comparison of High Speed GaAsSb-InP and InGaAs-InP Uni-Traveling-Carrier Photodiodes [D] . Guneroglu, Ugur 2019

机译：高速GaAsSb-InP和InGaAs-InP单向载流子光电二极管的仿真与比较
6. Raman Spectroscopic Characterizations of Self-Catalyzed InP/InAs/InP One-Dimensional Nanostructures on InP(111)B Substrate using a Simple Substrate-Tilting Method [O] . Jeung Hun Park, Choong-Heui Chung 2019

机译：使用简单的基板倾斜方法在InP（111）B基板上自催化InP / InAs / InP一维纳米结构的拉曼光谱表征
7. Raman Spectroscopic Characterizations of Self-Catalyzed InP/InAs/InP One-Dimensional Nanostructures on InP(111)B Substrate using a Simple Substrate-Tilting Method [O] . Jeung Hun Park, Choong-Heui Chung 2019

机译：使用简单的基底倾斜法对INP（111）B衬底上的自催化INP / INAS / INP一维纳米结构的拉曼光谱特征

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