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机译:基于3D模拟的IBC太阳能电池点状掺杂触点的后接触图案优化
Carrió David; Ortega Pablo; Martín Isidro; López Gema; López-González Juan Miguel; Orpella Albert; Voz Cristóbal; Alcubilla Ramón;
机译:基于多晶硅载流子选择性钝化接触的IBC太阳能电池的数值模拟
机译:用阻抗谱分析实验确定点状接触c-Si太阳能电池的基极电阻贡献
机译:基于晶体硅前/后接触太阳能电池的植入基于钝化触点
机译:基于IBC太阳能电池3D模拟的后接触模式优化,具有点状掺杂触点
机译:H2S反应和指叉背接触式硅异质结(IBC-SHJ)太阳能电池的构图工艺使硅缺陷钝化
机译:薄膜太阳能电池Mo / Cr双层背面接触的优化
机译:基于3D模拟的后接触模式优化,用于具有点状掺杂接触的IBC太阳能电池
机译:背接触太阳能电池的制造方法晶片太阳能电池,涉及通过发射极接触和基极接触使太阳能电池与具有热施主的掺杂梯度的n型基极区域接触
机译:由具有n掺杂的半导体衬底生产单面可接触太阳能电池的方法,涉及在半导体衬底的基极接触区域处产生n掺杂的基极高掺杂区域。
机译:双面接触式太阳能电池穿过太阳能电池的发射极包裹体具有沿着衬底后表面延伸的间隔物区域,以及布置在衬底前表面上并电耦合至掺杂区域的导电收集触点
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