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【2h】

GaAs and silicon manufacturers forming alliances for silicon-germanium technology in RFICs

机译：GaAs与硅制造商结成RFIC中的硅锗技术联盟

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年度 2001
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1. Characterization of silicon-germanium heterojunction bipolar transistors degradation in silicon-germanium BiCMOS technologies [J] . Seung-Yun Lee, Chan Woo Park Solid-State Electronics . 2006,第3期

机译：硅锗BiCMOS技术中硅锗异质结双极晶体管性能下降的表征
2. Improvement of Performance of Amorphous Silicon-Germanium Thin-Film Solar Modules With Large Width P2 Process Technology [J] . Lien S., Hsu C., Han P. Electron Devices, IEEE Transactions on . 2015,第2期

机译：利用大宽度P2工艺技术改善非晶硅锗薄膜太阳能电池的性能
3. Diameter Dependence of Spin Relaxation in Silicon, Silicon-Germanium (Si_(0.7)Ge_(0.3)) and Strained Silicon-Germanium (Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si_(0.5)Ge_(0.5)) Nanowires [J] . Bhupesh Bishnoi, Bahniman Ghosh Quantum Matter . 2014,第5期

机译：硅，硅锗（Si_（0.7）Ge_（0.3））和应变硅锗（Si_（0.8）Ge_（0.2）/ Si_（0.5）Ge_（0.5））纳米线中自旋弛豫的直径依赖性
4. High-performance silicon-germanium technology [C] . Subbanna, S., Freeman, . 2005

机译：高性能硅锗技术
5. Design of 2.4 GHz and 5GHz RFIC front-end components in CMOS and silicon-germanium HBT technologies. [D] . Kodkani, Rahul Madhav. 2002

机译：CMOS和硅锗HBT技术中2.4 GHz和5 GHz RFIC前端组件的设计。
6. Ultrafast carrier thermalization and trapping in silicon-germanium alloy probed by extreme ultraviolet transient absorption spectroscopy [O] . Michael Zürch, Hung-Tzu Chang, Peter M. Kraus, 2017

机译：极紫外瞬态吸收光谱法探测硅锗合金中超快的载热和俘获
7. Development of a new Front End electronics in Silicon and Silicon-Germanium technology for the Resistive Plate Chamber detector for high rate experiments [O] . L. Pizzimento, R. Cardarelli, G. Aielli, 2019

机译：用于高速实验的电阻板室检测器的硅和硅锗技术中的新前端电子产品的开发
8. Influence de l'Enrichissement Superficiel en Arsenic sur l'Ohmicite du Contact n-GaAs: In/Au (Influence of Arsenic Superficial Enrichment on the Ohmicity of the n-GaAs:In/Au Contact) [R] . Person, P. 1987

机译：影响de En'Inrichissement superficiel en arsenic sur l'Ohmicite du Contact n-Gaas：In / au（砷表面富集对n-Gaas欧姆的影响：In / au接触）

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