机译:硅在压力下:甚至GaN也会粘附
机译:上杆新日历杆的发展初具规模
机译:通过在高压和高温下熔融纳米GaN粉末作为GaN外延层生长的衬底而获得的GaN陶瓷
机译:使用AlAs,AlAs / GaAs和AlN缓冲层的低压MOCVD在硅衬底上外延生长GaN
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:等温GaN覆盖层对硅衬底上绿色发光二极管的InGaN / GaN多量子阱的影响
机译:GaN上的超薄硅氧氮化物层,无悬空 - 无粘合的GaN /绝缘界面