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First GaN transistors fabricated on 4'' silicon wafers

机译：在4''硅晶圆上制造的首批GaN晶体管

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1. Wafer-level and highly controllable fabricated silicon nanowire transistor arrays on （111） silicon-on-insulator （SOl） wafers for highly sensitive detection in liquid and gaseous environments [J] . Xun Yang12, Anran Gao1, Yuelin Wang1, 纳米研究：英文版 . 2018,第003期

机译：在（111）绝缘体上硅（SOl）晶片上的晶片级且高度可控的人造硅纳米线晶体管阵列，用于在液体和气体环境中进行高度灵敏的检测
2. Wafer-level and highly controllable fabricated silicon nanowire transistor arrays on (111) silicon-on-insulator (SOI) wafers for highly sensitive detection in liquid and gaseous environments [J] . Xun Yang, Anran Gao, Yuelin Wang, 纳米研究（英文版） . 2018,第003期

机译：在（111）绝缘体上硅（SOI）晶片上的晶片级且高度可控制的硅纳米线晶体管阵列，用于在液态和气态环境中进行高度灵敏的检测
3. Comparisons Of The Hot Carrier Effect In Quasi-silicon-on-insulatorand Conventional Silicon-on-insulator Power Metal-oxide-semiconductorrnfield-effect Transistors Fabricated By Reversed Silicon Wafer Direct Bonding [J] . Satoshi Matsumoto Japanese journal of applied physics . 2008,第12期

机译：反向硅片直接键合制备的准绝缘体上硅与常规绝缘体上功率金属氧化物半导体场效应晶体管的热载流子效应比较
4. The role of the temperature on the scattering mechanisms limiting the electron mobility in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors fabricated on (110) silicon-oriented wafers [C] . Gaubert Philippe, Teramoto Akinobu, Sugawa Shigetoshi, 2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference. . 2012

机译：温度对散射机制的作用限制了在（110）硅取向晶片上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子迁移率
5. Study of CMOS compatible ruthenium oxide Schottky contacts for AlGaN/GaN and InAlN/GaN diodes and high mobility transistors grown on silicon (111) substrates. [D] . Kyaw, Lwin Min. 2015

机译：用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅（111）衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
6. Gated Silicon Drift Detector Fabricated from a Low-Cost Silicon Wafer [O] . Hideharu Matsuura, Shungo Sakurai, Yuya Oda, 2015

机译：用低成本硅片制造的门控硅漂移检测器
7. AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a low sub-threshold swing on free-standing GaN wafer [O] . Xinke Liu, Hong Gu, Kuilong Li, 2017

机译：alGaN / GaN高电子迁移率晶体管，在独立的GaN晶圆上具有低亚阈值摆幅
8. Contactless Mobility, Carrier Density, and Sheet Resistance Measurements on Si, GaN, and AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) Wafers. [R] . Tompkins, R. P., Nguyen, D. 2015

机译：si，GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEmT）晶片的非接触迁移率，载流子密度和薄层电阻测量。

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