机译:使用AlGaN / InGaN超晶格最后一个量子垒提高基于InGaN的蓝色LED的性能
机译:带有阶梯式电子注入器的InGaN / GaN蓝色LED中的InGaN应力补偿层
机译:p-InGaN层的厚度对具有p-GaN / InGaN异质结的GaN基LED的器件物理和材料质量的影响
机译:使用p-InGaN和p-InGaN / p-GaN超晶格作为p型层的InGaN MQW绿色LED
机译:外延生长,纳米制剂和InGaN微LED的传质,用于显示器
机译:自组装InGaN量子点的宽带全色单片InGaN发光二极管
机译:基于短期Ingan / GaN超晶格和Ingan QWS的组合的深绿色和单片白光LED