机译:气体和固体源分子束外延(MBE)生长的变质InP / InGaAs异质结双极晶体管(MHBT)的比较研究
机译:InGaAs / InP MHBT和HBT技术的优化:铍扩散现象的控制和建模
机译:通过MOCVD在GaAs衬底上变质异质结构InP / GaAsSb / InP HBT
机译:在多晶片生产MBE系统中生长的基于InP / InGaAs的变质HBT材料
机译:具有高铟摩尔分数量子阱通道的基于GaAs的变质高电子迁移率晶体管。
机译:MhbT是革兰氏阴性细菌摄取3-羟基苯甲酸酯的特定转运蛋白
机译:GTRAN推出10Gb / s IC和转发器; GCS将制造40Gb / s 4英寸InP HBT
机译:变质HBT:在Gaas衬底上生长的Inp / InGaas / Inp器件。