机译:分子束异质外延III-V材料生长过程中硅少数载流子的寿命退化
机译:氮化硅阻挡层在III–V层的MBE模拟生长过程中减轻了硅晶片中少数载流子的寿命退化。
机译:分子束外延生长的β-FeSi_2层的少数载流子扩散长度,少数载流子寿命和光响应性
机译:直接观察由电位诱导的降解和恢复测试引起的SiNx钝化的n型晶体硅衬底的有效少数载流子寿命的变化
机译:在分子束杂交生长期间硅少数型载体寿命降解的源极缺陷III-V材料
机译:离子辅助分子束外延在硅上III-V族半导体的成核和生长
机译:GaAs上的低温等离子体增强了CVD的硅外延生长:III-V / Si集成的新范例
机译:分子束外延生长的β-FeSi2层的少数载流子扩散长度,少数载流子寿命和光响应性
机译:用分子束外延法制备III-V砷化物和锑化物的异质外延材料和器件