机译:Czochralski生长的硅在600摄氏度下热处理后的热缺陷的光致发光特性
机译:在热供体形成期间n型Czochralski-生长硅晶片中的环状缺陷形成
机译:n型Czochralski-生长硅晶片的环缺陷发作
机译:鉴定接收和热处理的种子Czochralski晶片的寿命限制缺陷
机译:Nicalon / CAS-II玻璃陶瓷基复合材料的损伤分析和力学响应。
机译:有益的缺陷:利用固有的抛光诱导的晶片粗糙度来实现Ge平面纳米线的无催化剂生长
机译:生长点缺陷对Czochralski生长的硅晶片中少数载流子寿命的影响
机译:识别sOI(绝缘体上硅)晶片中的缺陷。