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【2h】

Maxim RF MESFET bias controllers

机译：Maxim RF MESFET偏置控制器

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2. The relationship of gate length to RF characteristics of SiC-MESFETs - RF characteristics of short-channel SiC-MESFETs [J] . Manabu Arai, Hirotake Honda, Makoto Ogata, 電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials . 2002,第178期

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3. The relationship of gate length to RF characteristics of SiC-MESFETs - RF characteristics of short-channel SiC-MESFETs [J] . Manabu Arai, Hirotake Honda, Makoto Ogata, 電子情報通信学会技術研究報告. 電子デバイス. Electron Devices . 2002,第175期

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4. Optimization of a MESFET RF power amplifier using a bias dependent large signal MESFET model [C] . Munoz, S., Sebastian, . 1995

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5. SURFACE AND INTERFACE PHYSICS OF GALLIUM-ARSENIDE MESFETS (MBE). [D] . SHENAI, KRISHNA. 1986

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6. Silicon on Insulator MESFETs for RF Amplifiers [O] . Seth J. Wilk, Asha Balijepalli, Joseph Ervin, -1

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