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机译:来自GaN层的高温发光作为MOVPE中原位监测的候选材料
Prall C.; Ruebesam M.; Weber C.; Reufer M.; Rueter D.;
机译:来自GaN层的高温发光作为MOVPE中原位监测的候选者
机译:外延生长过程中GaN层的高效高温原位发光分析
机译:低温GaN缓冲层对MOVPE生长的后续GaN层晶体质量的影响
机译:MOVPE生长的GaN:Mg外延层的时间和温度分辨光致发光
机译:低温金属调制外延生长GaN的光致发光测量。
机译:MOVPE生长条件对锗掺杂GaN层的影响
机译:Movpe反应器中蓝宝石衬底上GaN牺牲层的原位制备用于过度分离GaN晶体
机译:使用原位监测光致发光的处理室中的温度测量
机译:外延生长衬底,GaN基半导体层的制造方法,GaN基半导体层,发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
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