机译:非晶态SiO _2:与空的O原子本征键合位点相关的加工引起的预先存在的缺陷
机译:薄膜非晶态固体的内在键合缺陷:非晶硅(a-Si),氢化非晶硅(a-Si:H),非晶硒(a-Se)和非晶硒-砷合金(a-AsxSe1-x )
机译:远程等离子体沉积非晶态SiO_2和GeO_2的能带电子结构和预先存在的缺陷
机译:非结晶SiO_2:处理诱导与冒期的O-原子内在键合位点相关的预先存在的缺陷
机译:6氢碳化硅和4氢碳化硅中本征和离子注入引起的缺陷的电学和光学表征。
机译:钼硫化法在SiO2上生长的多晶大面积二维MoS2薄膜中的顺磁本征缺陷
机译:在纳米晶ZrO2和HfO2中光谱检测O原子空位的带边缘陷阱:消除非结晶三价硅酸盐合金中O原子空位缺陷的工程解决方案
机译:siO2薄膜中固有键合缺陷和杂质的电子顺磁共振研究